在普通整流级PN结二极管中,结是在P型半导体到N型半导体之间形成的。
而在肖特基二极管中,结位于 N 型半导体与金属板之间。
由于肖特基二极管是单极器件(即没有相反方向的空穴运动),它没有太多的反向漏电流(在反向偏置条件下从阴极流向阳极的电流)。
因此,在电子-空穴复合过程中会发生较少的延迟。
因此肖特基二极管可以比 PN 结二极管更快地切换(开/关)。
下表为我们总结了肖特基二极管与普通PN结二极管的对比研究
肖特基二极管 | PN结二极管 |
N型半导体与金属板之间形成结。 | P和N型半导体之间形成结。 |
它具有低正向压降。 | 与肖特基二极管相比,它具有更大的正向压降。 |
反向恢复时间和反向恢复损失非常非常少。 | 反向恢复时间和反向恢复损失更多。 |
它们用于高频应用,如 SMPS 电路。 | 它们可用于高频应用。 |
它是一种单极器件, 即仅由于电子的运动而发生电流传导。 |
它是一个双极器件。 即,电流传导是由于空穴和电子的运动。 |